Additif 9 à la publication UTE C 86-614 de février 1977
€77.67
Additif 10 à la publication UTE C 86-614 de février 1977
€166.33
Electronic components. Bipolar transistors for switching applications. Manual of detail specifications within the scope of the french standards NF C 86-010 and NF C 86-614 (CECC 50 000 and CECC 50 004). - Composants électroniques
ELECTRONIC COMPONENTS. BIPOLAR TRANSISTORS FOR SWITCHING APPLICATIONS. COLLECTION OF DETAIL SPECIFICATION WITHIN THE SCOPE OF THE FRENCH STANDARDS NF C 86-010 AND NF C 86-614.
€59.33
€43.67
Additif 5 à la publication UTE C 86-614 de février 1977
Additif 6 à la publication UTE C 86-614 de février 1977
€95.67
Additif 7 à la publication UTE C 86-614 de février 1977
€34.00
ELECTRONIC COMPONENTS. BIPOLAR TRANSISTORS FOR SWITCHING APPLICATIONS. COLLECTION OF DETAILS SPECIFICATIONS WITHIN THE SCOPE OF THE FRENCH STANDARDS NF C 86-010 AND NF C 86-614 (CECC 50 000 AND CECC 50 004).
€138.00
Semiconductor devices. Discrete devices and integrated circuits. Part 7 : bipolar transistors. - Composants électroniques
€237.33
Blank detail specification : phototransistors, photodarlington transistors, phototransistor arrays
€91.00
Blank detail specification - Phototransistors, photodarlington transistors, phototransistor arrays; German version EN 120003:1992
€56.17
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors (BTRs) (IEC 47E/324/CD:2007)
€385.89
Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) (IEC 62373:2006); German version EN 62373:2006
€69.91
Lignes directrices pour les méthodes d'essai de résistance dynamique à l'état passant des dispositifs de conversion de puissance fondés sur les HEMT en GaN
