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NF EN IEC 63373, C96-373 (03/2022)
Lignes directrices pour les méthodes d'essai de résistance dynamique à l'état passant des dispositifs de conversion de puissance fondés sur les HEMT en GaN
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Summary
Le présent document donne des lignes directrices pour l'essai de résistance dynamique à l'état passant des solutions de transistors de puissance latéraux en GaN. En règle générale, l'essai de résistance dynamique à l'état passant est une mesure des phénomènes de piégeage de charge dans les transistors de puissance en GaN.
Technical characteristics
| Publisher | Association Française de Normalisation (AFNOR) |
| Publication Date | 03/01/2022 |
| Release Date | 03/01/2022 |
| Page Count | 18 |
| EAN | --- |
| ISBN | --- |
| Weight (in grams) | --- |
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