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NF ISO 17560, X21-051 (04/2006)
Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Method for depth profiling of boron in silicon - Analyse chimique des surfaces
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Summary
Le présent document spécifie une méthode SIMS utilisant un spectromètre de masse à secteur magnétique ou quadripolaire pour le profilage en profondeur du bore dans le silicium et un profilomètre de surface à stylet ou un interféromètre optique pour l'étalonnage de l'échelle de profondeur. Cette méthode est applicable à des échantillons de silicium monocristallin, polycristallin ou amorphe dont les concentrations atomiques en bore sont comprises entre 1 x 10 16 atomes/cm3 et 1 x 10 20 atomes/cm3, et à des profondeurs de cratères de 50 nm ou plus.
Technical characteristics
| Publisher | Association Française de Normalisation (AFNOR) |
| Publication Date | 04/01/2006 |
| Release Date | 03/01/2006 |
| Page Count | 16 |
| EAN | --- |
| ISBN | --- |
| Weight (in grams) | --- |
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