DIN 50451-3:2002-01

Essai des matériaux pour la technologie des semi-conducteurs - Dosage des éléments en traces dans les liquides - Partie 3: Détermination de 31 éléments dans l'acide nitrique de haute pureté par ICP-MS

Essai des matériaux pour la technologie des semi-conducteurs - Dosage des éléments en traces dans les liquides - Partie 3: Aluminium (Al), Arsenic (As), Baryum (Ba), Béryllium (Be), Bismuth (Bi), Calcium (Ca), Cadmium (Cd), Cobalt (Co), Chrome (Cr), Cuivre (Cu), Fer (Fe), Gallium (Ga), Germanium (Ge), Hafnium (Hf), Indium (In), Potassium (K), Lithium (Li), Magnésium (Mg), Manganèse (Mn), Molybdène (Mo), Nickel (Ni), Niobium (Nb), Plomb (Pb), Antimoine (Sb), Étain (Sn), Strontium (Sr), Tantale (Ta), Titane (Ti), Vanadium (V), Zinc (Zn), Zirconium (Zr) en acide nitrique par ICP-MS

Essai des matériaux pour la technologie des semi-conducteurs - Dosage des éléments en traces dans les liquides - Partie 3: Aluminium (Al), cobalt (Co), cuivre (Cu), sodium (Na), nickel (Ni) et zinc (Zn) dans l'acide nitrique par ICP-MS

Testing of materials for semiconductor technology - Determination of traces of elements in liquids - Part 3: Aluminium (Al), cobalt (Co), copper (Cu), sodium (Na), nickel (Ni), and zinc (Zn) in nitric acid with ICP-MS

Testing of materials for semiconductor technology - Determination of traces of metals in liquids - Part 3: Al, Co, Cu, Na, Ni and Zn in nitric acid with ICP-MS