31.080 : Semiconductor devices

31.080.01

Semiconductor devices in general

31.080.10

Diodes

31.080.20

Thyristors

31.080.30

Transistors

31.080.99

Other semiconductor devices
UTE C96-086, C96-086U (08/1989)

UTE C96-086, C96-086U (08/1989)

Withdrawn Most Recent

Composants électroniques - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Septième partie : transistors bipolaires - Section deux - Spécification particulière cadre pour les transistors bipolaires à température de boîtier spécifiée pour amplification en basse fréquence

€74.00

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UTE C96-027, C96-027U (06/1997)

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Superseded Historical

Dispositifs à semiconducteurs - Règles pour la gestion de la fin de vie des composants et pour leur remplacement (obsolescence des composants électroniques) - Prescriptions provisoires.

€30.50

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NF C01-521 (11/2002)

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Vocabulaire Électrotechnique International - Partie 521 : dispositifs à semiconducteurs et circuits intégrés

€188.67

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UTE C96-027, C96-027U (03/1998)

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Superseded Historical

Dispositifs à semiconducteurs - Règles pour la gestion de la fin de vie des composants et pour leur remplacement (obsolescence des composants électroniques). Prescriptions provisoires.

€34.00

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UTE C96-028, C96-028U (06/1998)

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Dispositifs à semi-conducteurs - Procédures pour la certification d'une ligne de fabrication et la gestion de la qualité et guide pour l'obtention de la certification QML - Prescriptions provisoires.

€106.33

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NF EN 60749, C96-022 (12/1999)

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Dispositifs à semiconducteurs - Essais mécaniques et climatiques

€131.50

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NF EN 62047-15, C96-050-15 (11/2015)

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Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs microélectromécaniques - Partie 15 : méthode d'essai de la résistance de collage entre PDMS et verre

€93.33

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UTE C86-613/A2, C86-613/A2U (03/1981)

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Additif 2 à la publication UTE C 86-613 de mars 1979

€56.33

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UTE C86-815/A2, C86-815/A2U (06/1981)

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Additif 2 à la publication UTE C 86-815 de juin 1977

€56.33

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UTE C96-821, C96-821U (10/1981)

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Semiconducteurs - Diodes de redressement de forte puissance

€108.50

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UTE C96-822, C96-822U (10/1981)

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Semiconducteurs - Thyristors de forte puissance

€143.00

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UTE C96-721, C96-721U (11/1988)

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Semiconducteurs - Transistors à effet de champ en hyperfréquences - Prescriptions provisoires

€170.50

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UTE C96-065, C96-065U (08/1989)

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Composants électroniques - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Troisième partie : diodes de signal (y compris les diodes de commutation) et diodes régulatrices - Section un : spécification particulière cadre pour les diodes de signal, les diodes de commutation et les diodes à avalanche contrôlée

€59.33

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UTE C96-080, C96-080U (08/1989)

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Composants électroniques - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Sixième partie : thyristors - Section un : spécification particulière cadre pour les thyristors triodes bloqués en inverse, à températures ambiante et de boîtier spécifiées, pour courants jusqu'à 100 A

€74.00

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UTE C96-011, C96-011U (08/1989)

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Composants électroniques - Dispositifs à semiconducteurs - Onzième partie : spécification intermédiaire pour les dispositifs discrets

€86.50

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